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元件参数资料
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参数目录36946
> BD159G TRANS NPN 350V 0.5A BIPO TO-225
型号:
BD159G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN 350V 0.5A BIPO TO-225
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BD159G PDF
标准包装
500
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
350V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
-
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
30 @ 50mA,10V
功率 - 最大
20W
频率 - 转换
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-225AA,TO-126-3
供应商设备封装
TO225AA
包装
散装
其它名称
BD159G-ND
BD159GOS
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